Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor

Referenzdesign unter Verwendung des Teils BFP640 von Infineon Technologies AG

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Hersteller

Infineon Technologies AG
  • Anwendungskategorie
    Drahtlose Kommunikation
  • Produkttyp
    Hochfrequenz Verstärker

Für Endprodukte

  • Wireless
  • Wireless LAN

Beschreibung

  • Low Cost, 3V, +12.5 dBm, 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier Using the BFP640 SiGe Transistor. The Silicon-Germanium BFP640 SiGe Low Noise Transistor is shown in an SDARS active antenna LNA application

Haupteigenschaften

  • Operating Frequency
    2320 to 2345 MHz
  • Output Power
    28 dBm
  • Gain
    18 dB

Empfohlene Bauteile (2)

Empfohlene Bauteile
Teilenummer Hersteller Typ Beschreibung
BFP 640 H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R In den Warenkorb
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 In den Warenkorb

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