Low-Cost Two-Stage Low Noise Amplifier for 5 - 6GHz Applications Using the Silicon-Germanium BFP640 Transistor

Referenzdesign unter Verwendung des Teils BFP640 von Infineon Technologies AG

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Hersteller

Infineon Technologies AG
  • Anwendungskategorie
    Drahtlose Kommunikation
  • Produkttyp
    Hochfrequenz Verstärker

Für Endprodukte

  • Cordless Phone
  • Wireless LAN

Beschreibung

  • Low-Cost Two-Stage Low Noise Amplifier for 5 - 6GHz Applications Using the BFP640 Silicon Germanium RF Transistor is shown in a two-stage Low Noise Amplifier (LNA) application targeted for Wireless LAN and other systems using the frequency range from 5 to 6 GHz

Haupteigenschaften

  • Operating Frequency
    5000 to 6000 MHz
  • Gain
    23.5 dB

Empfohlene Bauteile (2)

Empfohlene Bauteile
Teilenummer Hersteller Typ Beschreibung
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 In den Warenkorb
BFP 640 H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R In den Warenkorb

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